在此篇中說明在各種工作狀態下電壓檢測器的內部電路和動作。
以電壓檢測器進行檢測時的”L”輸出、N溝開漏輸出、監控電壓=輸入電壓為例，說明各種工作狀態下的動作。
A) 釋放狀態 (檢測電壓 < 輸入電壓)
當輸入電壓比設定的檢測電壓高時，透過比較器、反轉器使輸出驅動器FET成為OFF(Hi-Z)。 因為輸出驅動器FET為OFF，RESETB端子電壓成為上拉電壓、「H」輸出。 在釋放狀態下，因為使電阻R3短路的FET為OFF，檢測電壓由R1、R2、R3的電阻決定。
A) 檢測前狀態（=釋放狀態）
・RESETB端子輸出「H」⇒釋放狀態
・用 R1、R2 和 R3 設定檢測電壓
檢測電壓 = VREF × (R1+R2+R3) / (R2+R3)
B) 釋放狀態 → 檢測狀態
當輸入電壓下降，達到檢測電壓以下時，比較器的輸出邏輯反轉。 比較器輸出邏輯反轉，使得輸出驅動器FET為ON，RESETB電壓端子降低至0V，成為”L”輸出。
B) 當VIN下降到檢測電壓時
・比較器根據R1、R2和R3設定的值進行反轉。
→整個電路邏輯反轉，RESETB腳反轉為“L”
C) 檢測狀態 (輸入電壓 < 檢測電壓)
在檢測狀態（輸入電壓比檢測電壓低），使電阻R3短路的FET為ON。 因為這個FET為ON，釋放電壓由R1和R2的電阻決定。 因為使電阻R3短路的FET為ON，發生檢測電壓與釋放電壓的電位差。 把這個電位差稱為磁滯寬度。
C)檢測狀態
・RESETB端子輸出「L」⇒檢測狀態
・用R1和R2設定釋放電壓
釋放電壓 = VREF × (R1+R2) / R2
D) 檢測狀態 → 釋放狀態
當輸入電壓上升，超過了釋放電壓時，比較器的邏輯反轉，輸出驅動器FET為OFF。 因為輸出驅動器FET為OFF，RESETB端子電壓成為上拉電壓、「H」輸出。
D)當VIN上升到釋放電壓時
・比較器依照R1和R2設定的值反轉，整個電路的邏輯也反轉。
釋放電壓 = VREF × (R1+R2) / R2
・RESETB端子輸出「H」⇒輸出上拉電壓⇒返回A的釋放狀態