-20V -0.7A P-ch パワーMOSFET
XP152A12C0MRは、低オン抵抗、超高速スイッチング特性を実現したPチャネルパワーMOS FET です。
スイッチング速度の高速化ができ、セットの高効率化、省エネルギー化を図ることが可能です。静電対策としてゲート保護ダイオードを内蔵しております。
技術資料
- 製品概要/特⻑
パッケージ
| パッケージ名 | ピン数 | 個/リール | 外形寸法 |
|---|---|---|---|
| SOT-23 | 3 | 3,000 | 2.8 x 2.9 x 1.3 |
XP152A12C0MR シリーズ品番一覧
| 品番 | サンプル | パッケージ | EDA | オンラインストア |
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XP152A12C0MR-G |
SOT-23 |
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