-20V -2.5A P-ch パワーMOSFET
XP162A12A6PRは、低オン抵抗、超高速スイッチング特性を実現したPチャネルパワーMOS FET です。
スイッチング速度の高速化ができ、セットの高効率化、省エネルギー化を図ることが可能です。静電対策としてゲート保護ダイオードを内蔵しております。
技術資料
- 製品概要/特⻑
パッケージ
| パッケージ名 | ピン数 | 個/リール | 外形寸法 |
|---|---|---|---|
| SOT-89 | 3 | 1,000 | 4.5 x 4.0 x 1.6 |
XP162A12A6PR シリーズ品番一覧
| 品番 | サンプル | パッケージ | EDA | オンラインストア |
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XP162A12A6PR-G |
SOT-89 |
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