N-channel MOSFET 100V, 9.4mΩ, 59A

XPJ102N09N8Rは低オン抵抗、高速スイッチング特性を実現したパワーMOSFETです。DCモーター、スイッチング回路等、様々なアプリケーションに使用可能です。
パッケージは DFN5060-8L（6.0 x 4.9 x h1.1mm）を採用し、機器の小型化に貢献します。

特徴

VDSS 100V
RDS(ON) (MAX.) 9.4mΩ@VGS=10V
ID 59A
Qg (TYP.) 19nC

技術資料

  • 製品概要/特⻑

    • パッケージ

    パッケージ名 ピン数 個/リール 外形寸法
    DFN5060-8L 8 6,000/ 2Reels 6.0 x 4.9 x 1.1

    XPJ102N09N8R シリーズ品番一覧

    品番 サンプル パッケージ EDA オンラインストア

    XPJ102N09N8R-G

    		 DFN5060-8L

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